بزرگنمايي:

آریا جوان - به‌گفته‌ی مدیران سامسونگ، این شرکت موفق به نهایی‌سازی فرایند ساخت 5 نانومتری EUV شده است.

سامسونگ به‌عنوان یکی از شرکت‌های پیشتاز در حوزه‌ی نیمه‏‌هادی‏‌ها اعلام کرد که لیتوگرافی 5 نانومتریFinFET را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدل‏‌های نمونه به مشتریان است. فناوری پردازش 5 نانومتری FinFET در مقایسه با انواع 7 نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا 25 درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا 10 درصد کاهش پیدا می‏‌کند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینه‌سازی شده و میزان عملکرد پردازنده 10 درصد ارتقا پیدا می‎کند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانه‌تر در معماری سلولی (Cell Architecture) را نیز فراهم می‎کند. علاوه‌بر بهینه‌سازی «عملکرد در حوزه انرژی»، مشتریان می‎توانند از مزایای متعدد لیتوگرافی پیچیده‌ی 5 نانومتری EUV سامسونگ بهره‎مند شوند. سری 5 نانومتری نیز مانند انواع قبل پردازنده‌‏های این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش می‎دهد. یکی دیگر از مزایای مهم فناوری 5 نانومتری آن است که می‏‌توانی از تمامی IPهای 7 نانومتری برای 5 نانومتری هم استفاده کرد و به‌این ترتیب روند انتقال مشتریان از لیتوگرافی 7 نانومتری به 5 نانومتری با هزینه‌‏هایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی‌شده همراه بود. درنهایت نیز روند تولید کوتاه‌تر محصولاتی با فناوری 5 نانومتری به ارمغان خواهد آمد. بخش فناوری‎های پایه سامسونگ در همکاری با شرکت‎های فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری 5 نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP می‎شود. این مجموعه از سه‌ماهه‌ی آخر سال 2018 به تدریج به طرفین عرضه شده‎اند. در عین حال بخش فناوری‎های پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer) MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است.
چارلی بی، معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ می‎گوید: با تکمیل موفقیت‎آمیز توسعه 5 نانومتری، توانستیم توانایی‎هایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم. ما در پاسخ به تقاضای مداوم مشتریان برای فناوری‎های پیشرفته پردازشی با هدف متمایز کردن محصولات نسل آینده، تلاش داریم حجم تولید محصولات فناوری‎های مبتنی بر EUV را افزایش دهیم. در ماه اکتبر 2018 سامسونگ تولید اولیه پردازنده 7 نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونه‎های تجاری آن پردازنده را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازنده 7 نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد. در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید پردازنده‌ی 6 نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونه‏‌های اولین چیپ 6 نانومتری دست یافته است. معاون بخش فناوری‎های پایه سامسونگ در این خصوص افزود: باتوجه‌به مزایای متعدد مانند PPA و IP، انتظار می‎رود نودهای یپشرفته مبتنی بر EUV سامسونگ برای کاربردهای نوآورانه و جدید مانند 5G، هوش مصنوعی (AI)، محاسبات حجم بالا (HPC) و اتوماسیون، با تقاضای بالایی مواجه شود. سامسونگ هم‏زمان با ارتقای جایگاه خود به‌عنوان پیشتاز لیتوگرافی EUV، پیشرفته‎ترین فناوری‎ها و راهکارها را به مشتریان خود عرضه می‎کند. فناوری‎های پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید می‎شوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تأسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار می‏‌رود این کار تا نیمه دوم 2019 تکمیل شود.